応用物理学会学術講演会でのシリサイド半導体関係講演の速報・報告

研 究 業 績

論文・解説・著作・特許・学会発表

■研究業績

被引用回数（WEB OF SCIENCE, ISI：2012年9月 25日:更新）(Google Scholar: 2012年9月25日:更新)

被引用総数：1990～2012 累計　1731回／80論文統計

（年度毎被引用数　2005：128，2006：104，2007：149，2008：155，2009：123）

(1) Y. Maeda, N. Tsukamoto, Y. Yazawa, Y. Kanemitsu and Y. Masumoto:

“Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO₂ glassy matrices.”

Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 3168-3170. (pdf)  (4*441) (573)

(2) Y. Maeda:

“Visible Photoluminescence from nanocrystallite Ge embedded in a glassy SiO₂ matrix:

Evidence in support of the quantum confinement mechanism”,

 Phys. Rev. B 51 (1995) 1658-1670. (3.075*375) (457)

(3) Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto and Y. Maeda:

”On the origin of visible photoluminescence in nanometer-size Ge crystallites”

      Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 2187-2189.  (pdf) (4*197) (248)

(4) Y. Maeda, H. Andoh, I. Ikuta and H. Minemura:

“Reversible phase-change optical data storage in InSbTe alloy films”

J. Appl. Phys. 64 (1988) 1715-1719.  (2.255*67)（59）

(5) Y. Maeda, Y. Terai, M. Itakura, and N. Kuwano:

”Photoluminescence properties of ion-beam synthesized b-FeSi₂”

Thin Solid Films 461 (2004) 160-164.  (1.647*48)（46）

(6) Y. Maeda, K. Umezawa, Y. Hayashi, K. Miyake, and K. Ohashi:

“Photovoltaic properties of ion-beam synthesized b-FeSi₂/n-Si heterojunctions”

     Thin Solid Films 381 (2001) 256-260.  (1.647*42)（46）

(7) A. V. Kolobov, S. Q. Wei, W. S. Yan, H. Oyanagi, Y. Maeda and K. Tanaka:

” Formation of Ge nanocrystals embedded in a SiO₂ matrix: Transmission electron microscopy, x-ray absorption

and optical studies”,

Phys. Rev. B 67 (2003) 195314. (3.075*37)

(8) Y. Maeda, H. Andoh, I. Ikuta, M. Nagai, Y. Kato, H. Minemura, N. Tsuboi and Y. Sato:

“Single-beam over-writing with melt-erasing process in an InSbTe phase change optical disk”,

Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 893-895.  (4*31)

(9) S. Sakai, K. Yakushiji, S. Mitani, K. Takanashi, H. Naramoto, P. V. Avramov, K. Narumi, V. Lavrentiev, and Y. Maeda:

                     “Tunnel magnetoresistance in Co nanoparticles/Co-C₆₀ compound hybrid system”,

Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 113118-113121. (4.308*33)

(10)Y. Terai and Y. Maeda:

“Enhancement of 1.54 mm photoluminescence observed in Al-doped b-FeSi₂”,

      Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 903-905. (4.308*33)

               (11) Y. Maeda and M. Wakagi:

“Ge K-Edge EXAFS study of the local structure of amorphous GeTe and the crystallization”,

 Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 101-106. (1.142*23)

  (12) Y. Maeda, I. Ikuta, H. Andoh and Y. Sato:

“Single-beam overwriting with a new erasing mode in In₃SbTe₂ phase-change optical disks”,

                     Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 451-455. (1.1142*31)

(13) Y. Maeda,

“Luminescence from b-FeSi₂ and its application to photonics”,

 Appl. Surf. Sci., 254 (2008) 6242-6247. (23)

(14) A. I. Frenkel, A. V. Kolobov, K. I. Robinson, O. J. Cross, Y. Maeda, and C. E. Bouldin:

    “Direct separation of short range order in intermixed nanocrystalline and amorphous phases”,

                     Phys. Rev. Lett. 89 (2002) 285503. (7.218*21)

1. 論 文（2005～2012）

 (2005)

69)Y. Maeda, Y. Terai, and M. Itakura:

“Enhancement of photovoltaic properties of b-FeSi₂/Si heterojunctions by Al-doping”,

　 Optical Materials 27/5 (2005) 920-924. (8)

70) Y. Terai and Y. Maeda:

”Photoluminescence enhancement in impurity doped b-FeSi₂”,

　 Optical Materials 27/5 (2005) 925-928.(4)

71) N. Tatsumi, Y. Maeda, and S. Tamai:

” Difference in structural stability between SrBi₂Ta₂O₉ and Bi_3.75La_0.25Ti₃O₁₂ under vacuum and high temperature annealing stress”,

J. Korean Phys. Soc., 46 (2005) 171-175.

72) K. Akiyama, Y. Terai, H. Funakubo, S. Kaneko, and Y. Maeda:

” Photoluminescence properties from β-FeSi₂ film Epitaxially grown on Si, YSZ and Si//YSZ”,

Jpn. J. Appl. Phys. 44 (2005) L303 - L305.

73) R. Tsushima, Y. Michishita, S. Fujii, H. Okado, K. Umezawa, Y. Maeda, Y. Terai, K. Oura and M. Katayama:
”Growth process and structure of Fe/Si(111) ultrathin film: transition from single-domain Fe(111)/Si(111) to β-FeSi₂”

Surf. Science 579 (2005) 73-79.

74)Y. Maeda, Y. Terai, and M. Itakura:

” Epitaxial growth of Al-doped b-FeSi₂on Si by ion beam synthesis”,

Jpn. J. Appl. Phys. 44, No.4B (2005), 2502-2505. (11)

75)Y. Terai and Y. Maeda:

“1.54 mm photoluminescence enhancement in b-FeSi₂ by surface oxidation”

　Jpn. J. Appl. Phys. 44, No.4B (2005), 2492-2495. (6)

76）S. Tamai, Y. Maeda, H. Kobayashi:

”Polarization and leakage degradation of Pt/SrBi₂Ta₂O₉/Pt capacitors and their recovery”

　 Jpn. J. Appl. Phys. 44, No. 9B (2005) 6943-6946.

(2006)

77)Y. Terai, Y. Maeda and Y. Fujiwara:

”Photoluminescence enhancement of b-FeSi₂ by optimizing Al doping concentration”

Physica B 376-377 (2006) 799-802.

78)S. Sakai, K. Yakushiji, S. Mitani, K. Takanashi, H. Naramoto, P. V. Avramov, K. Narumi, V. Lavrentiev, and Y. Maeda:

“Tunnel magnetoresistance in Co nanoparticles/Co-C60 compound hybrid system”

Appl. Phys. Lett. 89 (2006) 113118-113121.

79)P. Avramov, P. Sorokin, A. Fedorov, D. Fedorov, and Y. Maeda

“Band-gap unification of partially Si-substituted single-wall carbon nanotubes”.

Phys Rev. B 74 (2006) 245417-245425. (4)

(2007)

80) P. V. Avramov, H. Naramoto, S. Sakai, K. Narumi, V. T. Lavrentiev and Y. Maeda:

“Quantum chemical study of atomic structure evaluation of the Co_x/C₆₀(x<2.8) composites”

J. Phys. Chem. A, 111 (12), (2007) 2299 -2306.

81) S. Sakai, K. Yakushiji, S. Mitani, I. Sugai, K. Takanashi, H. Naramoto, P. V. Avramov, V. Lavrentiev, K. Narumi and Y. Maeda,

“Magnetic and Magnetotransport Properties in Nanogranular Co/C₆₀-Co Film with High Magnetoresistance”,

Mater. Trans. 48 (2007) 754.

82) Y. Maeda:

“Semiconducting b-FeSi₂ towards optoelectronics and photonics”,

Thin Solid Films 515 (2007) 8118-8121.(14)

83) Y. Ando, A. Imai, K. Akiyama, Y. Terai and Y. Maeda:

“Photoluminescence enhancement by isolating b-FeSi₂ layer from defective layer”,

Thin Solid Films 515 (2007) 8133-8135. (1)

84) A. Imai, S. Kunimatsu, K. Akiyama, Y. Terai and Y. Maeda:

“Submicron dry-etching behavior of b-FeSi₂ thin films towards fabrication of photonic crystals”,

Thin Solid Films 515 (2007) 8162-8165.(3)

85) T. Jonishi, Y. Ando, A. Imai and Y. Maeda:

“Carrier control of b-FeSi₂ by 1.2MeV-Au⁺⁺ ion irradiation”,

Thin Solid Films 515 (2007) 8175-8178.

86) Y. Terai, Y. Maeda and Y. Fujiwara:

“Nondestructive investigation of b-FeSi₂/Si interface by photoluminescence measurements”,

Thin Solid Films 515 (2007) 8129-8132. (1)

87) K. Akiyama, M. Itakura, S. Kaneko, H. Funakubo and Y. Maeda:

“Control of b-FeSi₂/Si interface structure by Cu layer”,

Thin Solid Films 515 (2007) 8144-8148. (2)

88) P. Avramov, A. Kuzubov, A. Fedorov, P. Sorokin, F. Tomilin, and Y. Maeda,

“ Density-functional theory study of the electronic structure of thin Si/SiO₂ quantum nanodots and nanowires",

Phys. Rev. B 75 (2007) 205427. (11)

89) S. Sakai, H. Naramoto, P. V. Avramov, T. Yaita, V. Lavrentiev, K. Narumi and Y. Maeda,

“Comparative study of structures and electrical properties of cobalt-fullerene mixtures by systematic change of cobalt content”,

Thin Solid Films 515 (2007) 7758-7764. (7)

90) Y. Maeda, T. Jonishi, K. Narumi, Y. Ando, K. Ueda, M. Kumano, T. Sadoh, and M. Miyao,

“Axial orientation of molecular-beam-epitaxy grown Fe₃Si/Ge hybrid structures and its degradation”

Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 171910-1-171910-3. (16)

91) 安藤裕一郎, 上田公二 , 熊野守, 佐道泰造, 鳴海一雅, 前田佳均, 宮尾正信,

「強磁性体シリサイド/Geの低温エピタキシャル成長とスピントランジスタ」

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス(Proc. the 15th AWAD 2007)

107（2007）221-224.

　　　　92) T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao,

“Low-Temperature Epitaxial Growth of [Fe₃Si/SiGe]n (n=1-2) Multi-Layered Structures for Spintronics Application”,

ECS Transactions, Vol.11, No.6 (2007) 473-480.

93) M. Kumano, Y. Ando, K. Ueda, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao,

“Effect of Fe/Si Ratio on Epitaxial Growth of Fe₃Si on Ge Substrate”,

ECS Transactions, Vol.11, No.6 (2007) 481-486.

94) K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, Y. Maeda and M.Miyao

“Formation of Fe₃Si/Ge/Fe₃Si Multi-Layer by Double Heteroepitaxy on High Quality Fe₃Si/Ge Substrate for Spintronics Application”,

ECS Transactions, Vol.11, No.6 (2007) 487-492.

95) S. Sakai, S. Sugai, S. Mitani, K. Takanashi, Y. Matsumoto, H. Naramoto, P. Avramov, S. Okayasu, Y. Maeda,

“Giant tunnel magnetoresistance in co-deposited fullerene-cobalt films in the low bias-voltage regime”,

Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 242104-1-3. (10)

(2008)

96) Y. Maeda,

“Luminescence from b-FeSi₂ and its application to photonics”,

Appl. Surf. Sci., 254 (2008) 6242-6247．(22)

97) K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, Y. Maeda, and M. Miyao,

“Low Temperature Formation of Multi-Layered Structures of Ferromagnetic Silicide Fe₃Si and Ge”,
Appl. Surf. Sci., 254 (2008)　6215-6217．(7)

　　　　　　98) K. Ueda , K. Hamaya , K. Yamamoto , Y. Ando , T. Sadoh , Y. Maeda, and M. Miyao,

“Low-temperature molecular beam epitaxy of a ferromagnetic full-Heusler alloy Fe₂MnSi on Ge(111)”,

Appl. Phys. Lett. 93, (2008) 112108-1-3.（15）

99) P. V. Avramov, S. Sakai,H. Naramoto,K. Narumi,Y. Matsumoto,and Y. Maeda,

“Theoretical DFT study of atomic structure and spin states of the Co_x(C₆₀)_n (x = 3−8, n = 1,2) complex nanoclusters “

J. Phys. Chem. C 112 (2008) 13932-13936.

100) M. Miyao, K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, K. Narumi, and Y. Maeda,

“Atomically controlled epitaxy of Fe₃Si/SiGe for spintronic application”,

Thin Solid Films 517 (2008) 181-183.

101) K. Ueda, Y. Ando, T. Jonishi, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao,

“Temperature dependent epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe₃Si on Ge substrate”,

Thin Solid Films 517 (2008) 422-424.

　　　　　　102) Y. Matsumoto, S. Sakai, H. Naramoto, N. Hirao, Y. Baba, T. Shimada, I. Sugai, K. Takahashi, and Y. Maeda ,

“The electronic structure of fullerene/transition-metal hybrid material”,

Materials Research Society Proc. 1080E (2008) 1081-P07-01. (published only in electronic version).

　　　　　　103） K. Ueda, Y. Ando, K. Yamamoto, M. Kumano, K. Hamaya, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, and M. Miyao,

“Low temperature epitaxial growth of full Heusler alloy Fe₂MnSi on Ge(111) substrates for spintronics application”

Materials, Processing, and Devices 16 (2008) 273-276 2008.

　 (2009)

104) Y. Matsumoto, S. Sakai, Y. Takagi, T. Nakagawa, T. Yokoyama, T. Shimada, S. Mitani, H. Naramoto, Y. Maeda,

“X-ray absorption spectroscopy and magnetic circular dichroism in co-deposited C₆₀-Co films with giant tunnel magnetoresistance”,

Chem. Phys. Lett. 470 (2009) 244-248.

105) Y. Ando, K. Hamaya, K. Kasahara, K. Ueda, Y. Nozaki, T. Sadoh, Y. Maeda, K. Matsuyama, and M. Miyao,

“Magnetic properties of epitaxially grown Fe₃Si/Ge(111) layers with atomically flat heterointerfaces”,

J. Appl. Phys. 105 (2009) 07B102.

　　　　　 106） Y. Maeda, Y. Hiraiwa, K. Narumi, A. Kawasuso, Y. Terai, Y. Ando, K. Ueda, T. Sadoh, K. Hamaya, and M. Miyao,

“Site preference of atoms in Heusler alloys Fe₃Si and Fe₂MnSi grown on Ge(111) toward realization of Ge channel spin transistors”,

Materials Research Society Proc. 1119E (2009) 1119-L05-02 (DOI: 10.1557/PROC-1119-L05-02 　published only in electronic version).

107) Y. Takahashi, K. Narumi, A. Chiba, Y. Saitoh, K. Yamada, N.Ishikawa, H. Sugai and Y. Maeda,

“Vicinage effect on secondary-electron emission in the forward direction from amorphous carbon foils induced by swift C₂⁺ ions”

Applied Radiation and Isotopes, 67 (2009) 488-491.

108) Y. Takahashi, K. Narumi, A. Chiba, Y. Saitoh, K. Yamada, N. Ishikawa, H. Sugai, and Y. Maeda,

“Vicinage effect on secondary-electron emission in the forward direction from amorphous carbon foils induced by swift C₂⁺ ions”,

EPL (Euro-Physics Letters) 88 (2009) 63001.

(2010)

　　　　　 109) Y. Maeda and Y. Terai,

“Fabrication of iron silicide photonic crystals and properties of light propagation”,

Compound Semiconductor Photonics Materials, Devices, and Integration, Pan Stanford Pub. Singapore, 2010, pp.170-172.

110） M. Miyao, K. Hamaya, T. Sadoh, H. Itoh and Y. Maeda,

“Molecular beam epitaxial growth of ferromagnetic Heusler alloys for group-IV semiconductor spintronic devices “,

Thin Solid Films 518 (2010) S273-S277.

　　　　　 111) T. Hao, T. Ono, S. Okayasu, S. Sakai, K. Narumi, Y. Hiraiwa, H. Naramoto, and Y. Maeda,

“RBS study of diffusion under strong centrifugal force in bimetallic Au/Cu thin films”,

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B (NIM B) 268 （2010）1867-1870.

112) I. Sugai, S. Sakai, Y. Matsumoto, H. Naramoto, S. Mitani, K.Takanashi, and Y. Maeda,

^“Composition dependence of magnetic and magnetotransport properties in C₆₀–Co granular thin films”,

J. Appl. Phys. 108 (2010) 063920-063926.

113) S. Entani, S. Sakai, Y. Matsumoto, H. Naramoto, T. Hao, and Y. Maeda,

^“Interface Properties of Metal/graphene Heterostructures Studied by Micro-Raman Spectroscopy”,

J Phys. Chem. C 114 (2010) 20042-20048.

114) J. Hu, A. Kato, T. Sadoh, Y. Maeda, K. Galkin, T. Turchin, N. Galkin, H. Tatsuoka,

“Optical and electronic properties of M₂Si (M =Mg, Ca, Sr) grown by reactive deposition technique”,

International Journal of Modern Physics B. 24 (2010) 3693-3699.

(2011)

115) Y. Maeda: “Iron silicide photonic crystals and light propagation property”,

Physics Procedia 11 (2011) 79-82.

116) Y. Maeda, T. Ichikawa, T. Jonishi and M. Narumi:

“Determination of silicon vacancy in ion-beam synthesized b-FeSi₂”,

Physics Procedia 11 (2011) 83-86.

117) Y. Maeda, T. Nakajima, B. Matsukura, T. Ikeda and Y. Hiraiwa,

“Phonon properties of b-FeSi₂ and photoluminescence”,

Physics Procedia 11 (2011) 167-170.

118) Y. Maeda, T. Ikeda, T. Ichikawa, T. Nakajima, B. Matsukura, T. Sadoh and M. Miyao,

“Magnetooptical properties of iron based Heusler alloy epitaxial films on Ge(111)”,

Physics Procedia 11 (2011) 200-203.　（1）

119) S. Sakai, S. Mitani, I. Sugai, K. Takanashi, Y. Matsumoto, S. Entani, H. Naramoto, P. Avramov, and Y. Maeda,

“Effect of cotunneling and spin polarization on the large tunneling magnetoresistance effect in granular C₆₀-Co films”,

Phys. Rev. B 83 (2011) 174422-174428.

120) S. Entani, S. Sakai, Y. Matsumoto, H. Naramoto, T. Hao, and Y. Maeda,

“Interface Properties of Ag and Au/Graphene Heterostructures Studied by Micro-Raman Spectroscopy”

Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 04DN03 Top 20 Most Downloaded Articles May 2011 (5pages).

121) Y. Maeda, K. Narumi, S. Sakai, Y. Terai, K. Hamaya, T. Sadoh, M. Miyao,

“Ion channeling study of iron based Heusler alloy epitaxial films on Ge(111)”,

Thin Solid Films 519 (2011) 8461-8467.

122) Y. Terai, K. Noda, K. Yoneda, H. Udono, Y. Maeda, Y. Fujiwara,

“Bandgap modifications by lattice deformations in β-FeSi₂ epitaxial films”

Thin Solid Films 519 (2011) 8468-8472.

123) Y. Maeda,

“Iron silicides for optoelectronics; A new technology using elements of hope”,

Proc. of Asian School-Conference on Physics and Technology of Nanostructured Materials, Vladivostok, 21-28 Aug. (2011).

(2012)

124) B. Matsukura, Y. Hiraiwa, T. Nakajima, K. Narumi, S. Sakai^, T. Sadoh, M. Miyao, and Y. Maeda,

“Self organization of FeGe/FeSi/FeGe layered structures on Ge and their electrical conduction properties”,

Physics Procedia 23 (2012) 21-24.

125) T. Nakajima, T. Ichikawa, B. Matsukura, and Y. Maeda,

“Photoluminescence properties of ion-beam-synthesized b-FeSi₂ nanocrystals in Si”,

Physics Procedia 23 (2012) 25-28.

126) Y. Maeda, K. Nishimura, T. Nakajima, B. Matsukura, K. Narumi, and S. Sakai,

“Enhancement of IR light emission from b-FeSi₂ nanocrystals embedded in Si”,

physica status solidi (c) (to be published in August 2012).

127) Y. Maeda, K. Nishimura, T. Nakajima, B. Matsukura, K. Narumi, and S. Sakai,

“Photoluminescence property of carbon-doped b-FeSi₂ nanocrystals”,

physica status solidi (c) (to be published in August 2012).

２．解説記事，テキストなど（2000年以降）

1) 三宅潔，前田佳均：

「将来の光応用技術に向けたシリサイド環境半導体研究の現状」

   オプトロニクス，10号, １－７（2000）．

2) 前田佳均，立岡浩一，末益崇，吉武剛，鵜殿治彦：

「エコエレクトロニクス実現に向けた環境半導体の現状と将来」

    応用物理　69巻　725　（2000）．

3) 前田佳均: 「シリサイド半導体の電子構造と応用への展望」

   真 空　45，10－17（2002）．

4) 前田佳均: 「新たな半導体材料としての高純度金属」

   金 属　7月号16-20（2002）．

5）前田佳均，寺井慶和：

「環境に優しい光半導体：β-FeSi₂」

まてりあ（日本金属学会会報）, 44, 471-476　（2005）．

6) 前田佳均，SIPECセミナーテキスト

「シリサイド環境調和型半導体技術の最新動向」リアライズ理工センター（2005）．

7）前田佳均：「総説：鉄シリサイド半導体の基礎と応用」，

機能材料25巻／第10号，5-14（2005）．

8) 寺井慶和，前田佳均：「鉄シリサイド薄膜の発光と光電特性」

　　機能材料　25巻／第10号，47-53（2005）．

9）前田佳均：「超極限環境下における固体の原子制御と新奇物質の探索」

　　日本原子力研究開発機構　先端基礎科学研究センター

　　基礎科学ノート　Vo.13 No.2 pp.25-28 (2006).

10) 前田佳均：「鉄シリサイド・フォトニック結晶」

　　応用物理学会シリサイド系半導体研究会：第10回夏の学校テキスト，pp.13-17, (2007).

11)前田佳均：「環境材料としての鉄シリサイド系とその応用」

　　低環境負荷電子材料＆環境デバイス，応用物理学会九州支部シンポジウム講演資料集

　　pp.53-61 (2007).

12)「薄膜ハンドブック」（第2版），日本学術振興会薄膜第131委員会編，

4.24化合物半導体薄膜(V)Fe-Si薄膜の項執筆，オーム社，2008．

　　　　 13) 前田佳均：「β-FeSi₂からの発光について，その理解と誤解の歴史」

　　　　　　　応用物理学会シリサイド系半導体研究会：第11回夏の学校テキスト (2008).

　　　　 14) 前田佳均：「半導体・強磁性体シリサイドの光・スピンデバイス応用の可能性」

　　　　　　　応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会・第14回講演会予稿集

　　　　　　　pp.22-25 (2009). ISBN 978-4-86348-032-2.

         15) 前田佳均：「鉄シリサイドの光学応用」

　　　　　　　応用物理　79　2月号 pp.135-139 (2010).

　　　　 16) Y. Maeda, Preface

Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology Towards Sustainable Optoelectronics,

(APAC-SILICIDE 2010) Tsukuba 24-26 July 2010 Edited by Y. Maeda

Physics Procedia 11 (2011) 7-10.

                  17) Y. Maeda, Preface, Thin Solid Films 519 (2011) 8433.

                  18) 前田佳均：NSG Found. Mat. Sci. Eng. Rep. 224-229 (2011).

19) 前田佳均:「高純度鉄が活躍する鉄シリサイド研究の現状」

   金 属 81(11)（2011）66-71．

■研究業績（1987～2002）

1. 論 　文

（1987～1995：日立製作所在職中）

1)Y. Maeda, T. Minemura and H. Andoh:

" Thermophotometric study of phase transitions in Silver-Zinc alloy thin films."

    J. Appl. Phys,  62  (1987) 3941-3946.

2)Y. Maeda, T. Minemura and H. Andoh:

" Thermo-photometric study of phase transitions in sputter-deposited Ag-Zn alloy thin films."

    Jpn. J. Appl. Phys,  26  (1987) L1218-L1220.

3) T. Kaneko, Y. Maeda, T. Minemura, I. Ikutaand H. Andoh:

“Reversible Color-change in Ag-Zn Alloys”,

   J. Japan Inst. Metals, Vol. 51, No. 10 (1987), pp. 911-915.

4)Y. Maeda, H. Andoh, I. Ikuta and H. Minemura:

" Reversible phase-change optical data storage in InSbTe alloy films."

   J. Appl. Phys. 64  (1988) 1715-1719.

5)Y. Maeda, H. Andoh, I. Ikuta, H. Minemura and Y. Satoh:

” Reversible phase-change optical data storage in chalcogenide ternary compound films.”,

    Proc. of the MRS International Meeting on Advanced Materials-Photoresponsive Materials, Vol. 12 (1988) pp.237-242.

6)T. Minemura, H. Andoh and Y. Maeda :

“ Reversible color changes in sputter-deposited Ag- Zn alloy films.”,

    J. Appl. Phys. 63 (1988) 4632-4636.

7)Y. Maeda, H. Andoh, I. Ikuta, M. Nagai, Y. Kato, H. Minemura, N. Tsuboi and Y. Sato:

" Single-beam over-writing with melt-erasing process in an InSbTe phase change optical disk.",

   Appl. Phys. Lett. 54 (1989) 893-895.

8)前田佳均，安藤寿，永井正一，生田勲，加藤義美，坪井信義，峯邑 浩行，佐藤美雄，石垣正治：

InSbTe相変化光ディスクのオーバライト特性とそのメカニズム,

   電子情報通信学会誌 C-II　J72-C-II10（1989）893-899.

9) Y. Sato,  Y. Maeda,  H. Andoh, I. Ikuta, M. Nagai, N. Tsuboi,  H. Minemura,  M. Ishigaki:

 　 “40 dB overwrite-modulation phase-change optical disk using In-Sb-Te alloy”,

Proc. SPIE Vol. 1078, p. 11-13, (1989), Optical Data Storage Topical Meeting, Gordon R.

10)N. Gotoh, M. Ishigaki, Y. Fukui, H. Andoh, and Y. Maeda:

” Melt-erasing method of single beam overwrite for phase-change optical disk”

Proc. SPIE Vol. 1078, p. 15-18, (1989), Optical Data Storage Topical Meeting, Gordon R.

11)H. Minemura, H. Andoh, N. Tsuboi, Y. Maeda, and Y. Sato:

  “Three-dimensional analysis of overwritable phase-change optical disks”,

      J. Appl. Phys. 67 (1990) 2731-2735.

12)Y. Maeda, T. Minemura and H. Andoh:

” Order-disorder transition in sputter-deposited silver-zinc alloy films.”,

     Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) L1045-L1047.

13)前田佳均，安藤寿， 峯邑浩行，佐藤美雄：

InSbTe系相変化光ディスクのディスク構造とオーバライト繰り返し特性，

   電子情報通信学会誌 C-II J74-C-II4  (1991) 243-249.

14)Y. Maeda and M. Wakagi:

" Ge K-Edge EXAFS study of the local structure of amorphous GeTe and the crystallization."

     Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 101-106.

15)Y. Maeda, N. Tsukamoto, Y. Yazawa, Y. Kanemitsu and Y. Masumoto:

" Visible photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO₂ glassy matrices.",

     Appl. Phys. Lett. 59 (1991) 3168-3170.

16) Y. Maeda, H. Andoh, H. Minemura and Y. Sato: ”Relationship between overwrite repeatability and the disk

 structure of InSbTe phase-change optical disks”,

Electronics and Communications in Japan, 74 (1991) 58-65.

17)Y. Maeda, I. Ikuta, H. Andoh and Y. Sato: “ Single-beam overwriting with a new erasing mode in In₃SbTe₂ phase-change optical disks.”,

     Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992). 451-455.

18)Y. Kanemitsu, H. Uto, Y. Masumoto and Y. Maeda:

 ” On the origin of visible photoluminescence in nanometer-size Ge crystallites.”,

      Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 2187-2189.

19)Y. Nakayoshi, Y. Kanemitsu, Y. Masumoto and Y. Maeda:

” Dynamics of rapid phase transformations in amorphous GeTe induced by nanosecond laser pulses.”,

      Jpn. J. Appl. Phys. 31 (1992) 471-475.

20)F. Leblanc, Y. Maeda and T. Minemura:

“ In-situ optical measurement using optical fibers for a-Si:H ultra-thin films: Theoretical  and numerical analysis.”,

     Jpn. J. Appl. Phys. 32 (1993) L2187-L2189.

21) Hisashi Andoh, Yoshihito Maeda, Isao Ikuta, Masaichi Nagai and Yoshimi Katoh:

“Single-Beam Overwrite of In₃SbTe₂ Phase-Change Optical Disk “,

J. Japan Inst. Metals, Vol. 57, No. 2 (1993), pp. 228-232

22)M. Wakagi  and Y. Maeda:

“ Structural study of crystallization of a-Ge using extended x-ray-absorption fine structure.”,

    Phys. Rev. B50 (1994) 14090-14095.

23)F. Leblanc, Y. Maeda, K. Onisawa and T. Minemura: “ Bulk and surface densities of states of 0.3 mm-thick amorphous

 Si:H films by photothermal deflection spectroscopy.”,

    Phys. Rev. B50 (1994) 14613-14616.

24)Y. Maeda:

” Preparation of nanometer-size crystalline Ge by chemical sol-gel method and its photoluminescence.”,

     Jpn. J. Appl. Phys. 34, Suppl.34-1, (1995) 254-256.

25)F. Leblanc, Y. Maeda, M. Andoh, M. Wakagi and T. Minemura:

 “ Accurate determination of the Urbach energy of a-Si:H thin films by correction for the interference effect.”,

    Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) L1755-L1758.

26)Y. Maeda:

" Visible Photoluminescence from nanocrystallite Ge embedded in a glassy SiO₂ matrix: Evidence in support of

  the quantum   confinement mechanism.",

    Phys. Rev. B51 (1995) 1658-1670.

(1995～2002：大阪府立大学在職中)

27)Y. Maeda:

 " Quantum size effect of bulk plasmon energy observed in Ge quantum dots.",

     Phys. of Low-Dimensional Structures, 10  (1997) 23-35.

28)Y. Maeda:

“ Novel delocalized electronic states in anthracene incorporated into supercages of Na Y-zeolite.”，

     Phys. of Low-Dimensional Structures, 10 (1997) 1-13.

29)Y. Maeda, K. Umezawa, S. Owaki and Y. Hayashi:

” Structural relaxation of hydrogenated amorphous Si using resonant vibration excitation with free electron lasers.”,

in Free Electron Laser and Its Application in Asia”, Ed. T. Tomimasu et al., pp. 307-314. (1997).

30)Y. Maeda, T. Fujita, T. Akita, K. Umezawa and K. Miyake:

” Radiation enhanced diffusion of Fe implanted into Si(100)”,

      Microscopy of Semiconducting Materials, IOP Ser. No. 157. pp.511-514 (1997).

31)Y. Maeda, Y. Hayashi, K. Awazu, S. Ogino and T. Tomimasu:

 “ Free electron laser synthesis of microfiber silicon and its visible light emission.”,

      Materials Chemistry and Physics 54/1-3 (1998) 164-168.

32)Y. Fukami, Y. Maeda and K. Awazu:

“ Raman and FT-IR studies of photodynamic processes of cholesteryl oleate using IRFELs.”,

      Nuclear Inst. Methods in Phys. Res. B 144 (1998) 229-235.

33)Y. Maeda, T. Fujita, T. Akita, K. Umezawa and K. Miyake:

        “Ion-beam synthesized semiconducting b-FeSi₂ controlled by annealing procedures and  phase transitions”,

      Proc. of Materials Research Soc. Symposium, Vol. 486 (1998) pp.329-334.

34)Y. Maeda, K. Umezawa, K. Miyake and M. Sagawa:

” Ion-beam synthesis of b-FeSi₂ as an IR photosensitive material”,

      Proc. of SPIE on Photonics Materials” , Vol. 3419 (1998) pp.354-359.(16)

35)Y. Maeda, K. Umezawa and Y. Hayashi:

" Silicon nanostructure fabrication using IR-FELs and its optical properties.",

       Nuclear Inst. Meth. in Phys. Res. B 144 (1998) 152-159.

36)S. Ogino, H. Shiomi, N. Fujimori, K. Awazu and Y. Maeda:

” Free electron laser annealing of diamond”,

      Nuclear Inst. Meth. in Phys. Res. B 144 (1998) 181-185.

37)深見裕子，前田佳均，粟津邦男：

粥状動脈硬化部位コレステロールエステルの自由電子レーザ分解に関する基礎研究，

   日本レーザ医学会誌，19巻，3号（1998），1－8．

38)T. Kanai, S. Furukawa, Y. Maeda, Y.Hayashi, K. Oka, T. Dohmaru, and R. West:

“Valence electronic structures of organopolysilanes having symmetric alkyl side-chains studied by x-ray photoelectron spectroscopy”,

J. Physics: Condensed Matter, 10 (1998) 883-891.

39)Y. Maeda, K. Umezawa, K. Miyake and M. Sagawa:

“ Photovoltaic properties of ion-beam synthesized b-FeSi₂/Si(100)”,

      Proc. of International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'98), (IEEE, New York, 1999) pp.1129-1132.

40)前田佳均，三宅　潔，大橋健也：

β-FeSi₂/n-Siヘテロ接合の光電特性，レーザー研究，28, 93-98 (2000).

41)Y. Maeda and K. Miyake:

“ Effects of Surface Oxidation on Raman Spectroscopy of b-FeSi₂.”,

     Jpn. J. Appl. Phys. 39 , 4051 -4052 (2000). (Abstarct)  (8)

42)K. Tagaya, Y. Hayashi, Y. Maeda, K. Umezawa and K. Miyake:

”Magnetic Properties of b-FeSi₂ Semiconductors.” (6)

     Jpn. J. Appl. Phys. 39, 4751 - 4753 (2000).

43)前田佳均，三宅潔：

イオン注入で作製したβ-FeSi₂の光起電力効果と準安定γ相，

   材料科学，37巻　1号, 7-10　(2000).

44)A.V. Kolobov, Y. Maeda and K. Tanaka:

“ Raman Spectra of Ge Nanocrystals Embedded into SiO₂.”,

     J. Appl. Phys. 88, 3285-3289 (2000). (2.255*16)

45)Y. Maeda, K. Umezawa, K. Miyake and K. Ohashi:

“ IR-Photoresponsivity of Ion-Beam Synthesized b-FeSi₂/n-Si Heterojunctions”,

     Materials Research Soc. Symposium Proc., 607, 315 -320 (2000).

46)前田佳均：

招待論文：環境半導体 β-FeSi₂の格子ひずみと光学特性，

   電子情報通信学会論文誌C J83-C No.12 , 1053-1059 (2000).

47)A.V. Kolobov, H. Oyanagi, Y. Maeda and K. Tanaka:

“Local Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO₂: Raman Scattering, X-ray Absorption and TEM Studies”，

    Proc. of The 2000 JRCAT International Symposium on Atomtechnology (Tokyo, Nov. 2000), 201-204 (2001).

48)Y. Maeda, K. Umezawa, Y. Hayashi, K. Miyake and K. Ohashi:

     " Photovoltaic Properties of Ion-Beam Synthesized b-FeSi₂/n-Si Heterojunctions.",

     Thin Solid Films 381, 256-260 (2001).

49)Y. Maeda, K. Umezawa, Y. Hayashi and K. Miyake:

    “Raman Spectroscopic Study of Ion-Beam Synthesized Polycrystalline b-FeSi₂.”,

    Thin Solid Films 381, 219-224 (2001).

50)M. Sugiyama and Y. Maeda:

    “Microstructure Characterization of Ion-Beam Synthesized b-FeSi₂ Phase by Transmission Electron Microscopy.”,

     Thin Solid Films 381, 225-230 (2001).

51)A.V. Kolobov, H. Oyanagi, Y. Maeda and K. Tanaka:

“Local Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO₂: Raman Scattering, X-Ray Absorption and TEM Studies”,

    Proceedings of The 6th International Symposium on Advanced Physical Fields, Growth of Well-Defined Nanostructures,

    (Tsukuba, March 6 2001), 172-176 (2001).

52)A.V. Kolobov, H. Oyanagi, Y. Maeda and K. Tanaka:

“ Local Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO₂ Studied by X-Ray Absorption Fine Structure.”,

    J. Synchrotr. Rad. 8 , 511-513 (2001).

53)Y. Souno, Y. Maeda, H. Tatsuoka and H. Kuwabara:

“Epitaxial Growth of MnSi_1.7 Layers in the Presence of an Sb Flux”,

    J. Cryst. Growth 229,527-531(2001).

54)A. I. Frenkel, A. V. Kolobov, K. I. Robinson, O. J. Cross, Y. Maeda, and C. E. Bouldin :

    “Direct separation of short range order in intermixed nanocrystalline and amorphous phases”,

    Phys. Rev. Lett. 89, 285503 (2002).

55) A. V. Kolobov, H. Oyanagi, K. Brunner, G. Abstreiter, Y. Maeda, A. Shklayer, S. Yamazaki, M. Ichikawa, and K. Tanaka;

    “Effect of the interface on the local structure of Ge-Si nanostructures”,

     J. Vac. Sci. Technol. A20(3) (2002) 1116.

（京大在職以降）

(2003)

56)A. V. Kolobov, H. Oyanagi, A. Frenkel, I. Robinson, J. Cross, S. Wei, K. Brunner, G. Abstreiter, Y. Maeda, A. Shklayer, M.  Ichikawa, S. Yamazaki, and K. Tanaka;

”Local structures of Si/Ge nanostructures: Uniqueness of XAFS spectroscopy”,

      Nuclear Instruments and Methods in Physical Researches (NIM) B 199 (2003) 174-178.

57)A. V. Kolobov, S. Q. Wei, W. S. Yan, H. Oyanagi, Y. Maeda and K. Tanaka:

” Formation of Ge nanocrystals embedded in a SiO₂ matrix: Transmission electron microscopy, x-ray absorption,

 and optical studies”,

    Phys. Rev. B 67 (2003) 195314.

58)L. Liu, Z. X. Sen, K. L. Teo, A. V. Kolobov, and Y. Maeda:

 “Raman scattering of germanium nanocrystals embedded in glass matrix under hydrostatic pressure”,

   J. Appl. Phys. 93 (2003) 9392.

59)T. Hosono, M. Kuramoto, Y. Matsuzawa, Y. Momose, Y. Maeda, T. Matsuyama, H. Tatsuoka, Y. Fukuda, S. Hashimoto, and H. Kuwabara:

 “Formation of CaMgSi and Ca₂Si/Mg₂Si interface”,

      Appl. Surf. Sci. 216 (2003) 620-624.

(2004)

60)Y. Terai and Y. Maeda:

“Enhancement of 1.54 mm photoluminescence observed in Al-doped b-FeSi₂”,

      Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 903-905.

61)Lei Liu, K. L. Teo, Z. X. Shen, J. S. Sun, E. H. Ong, A. V. Kolobov, and Y. Maeda:

“Raman scattering investigation of a Ge/SiO₂ /Si nanocrystal system under hydrostatic pressure”

Phys. Rev. B 69 (2004) 125333. (Abstract) (7)

62)K. Akiyama, T. Kimura, T. Suemasu, F. Hasegawa, Y. Maeda, and H. Funakubo:

“Growth of epitaxial b-FeSi₂ thin film on Si(001) by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition”,

Jpn. J. Appl. Phys. 43 (2004) L551-L553. (14)

63)Y. Maeda, Y. Terai, M. Itakura, and N. Kuwano:

”Photoluminescence properties of ion-beam synthesized b-FeSi₂”,

      Thin Solid Films 461 (2004) 160-164. (41)

64)Y. Maeda, Y. Terai, and H. Udono:

 ”Raman study of b-FeSi₂ bulk crystals”,

      Thin Solid Films 461 (2004) 165-170. (11)

65)Y. Terai, H. Udono and Y. Maeda:

”Thermal expansion of b-FeSi₂ at low temperature”,

      Thin Solid Films  461 (2004) 106-109. (2)

66)H. Kannou, Y. Saito, M. Kuramoto, T. Takeyama, T. Nakamura, T. Matsuyama, H. Udono,

Y. Maeda, M. Tanaka, Z. Q. Liu, H. Tatsuoka, and H. Kuwabara:

  “ Structural and electrical properties of b-FeSi₂ single crystals grown using Sb solvent”,

      Thin Solid Films  461 (2004) 110-115.(4)

67)Y. Murakami, Y. Tsukahara, A. Kenjo, T. Sadoh, Y. Maeda, and M. Miyao,

“Impurity conduction in ion beam synthesized b-FeSi₂/Si”,

     Thin Solid Films  461 (2004) 198-201.

68) KL. Teo, ZX Shen, L. Liu, AV. Kolobov, Y. Maeda,

    “Raman scattering studies in two kinds of Ge nanosystems under hydrostatic pressure”,

     Phys. Stat. Solidi B-Basic Solid State Physics 241 (2004) 3269-3273. (1)

２．総説，解説記事，著書など

1)前田佳均，峯村哲郎，安藤寿：

「動的反射率測定法（DRS）とその応用」

熱測定　15（1988）pp．88-89.

2)日本熱測定学会編：

「熱分析の基礎と応用－超伝導からバイオまで，その多彩な展開」

（分担執筆「動的反射率測定法」の項担当），リアライズ社　1989．

3)前田佳均：

「Ｇｅ超微粒子からの発光」

応用物理　61 (1992) pp．1251-1254. (Abstarct)

4)前田佳均：

「Ｇｅ微結晶が光る」

パリティー　7　（1992）pp．42-44．

5)前田佳均：

「ナノメートルゲルマニウム微結晶からの可視発光」，

日本学術振興会，アモルファス材料第147委員会第35回研究会資料（平4年）pp.18-23．

6)前田佳均：

「ゲルマニウム・ナノ結晶」

オプトロニクス，7号（1993）pp．76-80．

7)日本熱測定学会編：

「熱分析の基礎と応用　第３版－超伝導からバイオまで，その多彩な展開」

（分担執筆「動的反射率測定法」の項担当），リアライズ社　1994．

8）前田佳均：

「光るシリコン，ゲルマニウム微細構造の現況」

光アライアンス，3月号　第5巻（1994）．

9)前田佳均：

「ゲルマニウム微結晶の作製と発光特性」，

日本学術振興会，極限構造電子物性第151委員会・原子オーダプロセシング・第12回研究会資料（平5年）pp.25-32．

10)前田佳均, 梅澤　憲司, 林　良一：

「半導体物質への赤外自由電子レーザー照射効果」

月刊「IONICS　(アイオニクス)」特集号「自由電子レーザー研究」23巻11号（1997）pp.59-66．

11)梅澤憲司, 前田佳均, 溝川悠介, 上浦良友, 林　良一：

「自由電子レーザの表面科学への応用」，

月刊「IONICS　(アイオニクス)」特集号「自由電子レーザー研究」23巻11号（1997）pp.67-72．

12)前田佳均，三宅　潔：

「環境半導体研究の国内外の現状と将来」

応用物理学会結晶工学分科会第４回結晶工学セミナー・テキスト（1998月11月6日）pp．17-28　(1998)．

13)大橋健也，前田佳均，三宅潔：

「環境半導体鉄シリサイドの作製」

ファインセラミックスレポート，17巻（1999）pp．163-165．

■国内，国際学会発表 (2003-2009)

 (2003)

32）｢Si(111)基板上へMOCVD合成したβ-FeSi₂膜のPL発光に及ぼす歪の影響｣，第50回応用物理学関係連合講演会，神奈川大学，2003年3月．

33）｢β-FeSi₂／Si(111)のフォトルミネッセンス増強機構の解明｣，第50回応用物理学関係連合講演会，神奈川大学，2003年3月．

34）｢β-FeSi₂単結晶の低温における格子定数変化｣，第50回応用物理学関係連合講演会，神奈川大学，2003年3月．

35）「イオンビーム合成したβ-FeSi₂の不純物伝導」，第50回応用物理学関係連合講演会，神奈川大学，2003年3月．

36）｢イオンビーム合成β-FeSi₂のフォトルミネッセンス特性｣，第64回応用物理学会学術講演会，福岡大学，2003年9月．

37）｢β-FeSi₂スパッター薄膜のフォトルミネッセンス特性｣，第64回応用物理学会学術講演会，福岡大学，2003年9月．

38）｢Si(100)とSi(111)基板に作製したβ-FeSi₂のPL形状変化｣，第64回応用物理学会学術講演会，福岡大学，2003年9月．

39）不純物ドープしたβ-FeSi₂におけるフォトルミネッセンス増強効果」，第64回応用物理学会学術講演会，福岡大学，2003年9月．

40)　Photovoltaics of IBS b-FeSi₂/Si heterojunctions, IUMRS-ICAM 2003 C7 Symposium, Yokohama, Japan 8-13 Oct. (2003).

41)　Thermal Expansion of b-FeSi₂ at low temperatures, IUMRS-ICAM 2003 C7 Symposium, Yokohama, Japan 8-13 Oct. (2003).

42)　Raman Spectra for b-FeSi₂ bulk crystals, IUMRS-ICAM 2003 C7 Symposium, Yokohama, Japan 8-13 Oct. (2003).

43)　Photoluminescence properties of IBS b-FeSi₂, IUMRS-ICAM 2003 C7 Symposium, Yokohama, Japan 8-13 Oct. (2003).

(2004)

44）｢IBS β-FeSi₂の成長温度と1.54μｍ発光との相関｣，第51回応用物理学関係連合講演会，東京工科大学，2004年3月．

45）「アニール雰囲気制御によるβ-FeSi₂の発光の高輝度化」，第51回応用物理学関係連合講演会，東京工科大学，2004年3月．

46）「IBSで作製されたβ-FeSi₂の圧力下におけるフォトルミネッセンス」，第51回応用物理学関係連合講演会，東京工科大学，2004年3月．

47）「鉄シリサイドの発光特性」，第51回応用物理学関係連合講演会シンポジウム講演，東京工科大学，2004年3月．

48)　Photoresponse properties of Al-doped IBS b-FeSi₂,

European Materials Research Society Symposium, Strasbourg, France (2004).

49）「SBTとBLTの真空アニールによる構造変化」，強誘電体応用会議2004，京都．2004年5月．

50)　Semiconducting Silicides and Recent Applications to Optoelectronics (Invited),

Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Application of Advanced Semiconductor Devices, June 30-July 2, 2004, Sasebo, Nagasaki.

51)　Optical properties of IBS b-FeSi₂ enhanced by Al doping,  The 2nd International Meeting on Future of Electronic Devices Kansai, 26-28, July 2004, Kyoto.

52)「シリサイド半導体・フォトニック結晶の展開」，第8回応用物理学会シリサイド系半導体・夏の学校，琵琶湖コンファレンスホール，滋賀，2004年7月．

53）Difference in structural stability between SrBi₂Ta₂O₉ and Bi_3.75La_0.25Ti₃O₁₂ under vacuum and high temperature annealing stress”

 The 5th Korea-Japan Symposium on Ferroelectrics, Seoul, Korea, Aug. 2004.

54）Polarization Fatigue Behavior of SBT Capacitors with Different Metal Electrodes, The 5th Korea-Japan Symposium on Ferroelectrics, Seoul, Korea, Aug. 2004.

55）「Al添加β-FeSi₂のエピタキシャル成長と特性向上」，第65回応用物理学会講演会，東北学院大学，2004年9月．

56）「アニール雰囲気制御によるβ-FeSi₂の発光の高輝度化（II）」，第65回応用物理学会講演会，東北学院大学，2004年9月．

57)　Crystal growth and photoresponse of Al-doped b-FeSi₂/Si heterojunctions,

2004 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 15-17, Sept. Tokyo.

58) 　Photoluminescence enhancement in b-FeSi₂ by annealing in oxygen,

2004 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 15-17, Sept. Tokyo.

59）Editors Preface, Special Issue of Thin Solid Films, Proceedings of IUMRS-ICAM2003 Symposium on Semiconducting Silicides (2004).

60）「招待論文：鉄シリサイドの結晶成長と電気，光学特性の改善」，信学技報SDM2004-198　(2004-12)，京都大学，2004年１２月１６日．

(2005)

61) 「Auドープβ-FeSi₂のフォトルミネッセンス特性」，第52回応用物理学関係連合学術講演会，埼玉大学，2005年3月．

62) 「裏面励起ＰＬ測定によるβ-FeSi₂/Siヘテロ界面の評価」，第52回応用物理学関係連合学術講演会，埼玉大学，2005年3月．

63) 「β-FeSi₂における発光強度のAl添加量依存性」，第52回応用物理学関係連合学術講演会，埼玉大学，2005年3月．

64)   Nondestructive characterization of b-FeSi₂/Si heterojunctions by photoluminescence measurements,

     　The Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji, May　23-25， 2005.

65）Formation of Iron Silicide Ultrathin Films on Si(111) Observed by Low-energy Ion Scattering and Transmission Electron Microscopy

The Fourth International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-4), Awaji, May　23-25， 2005.

66)「SrBi₂Ta₂O₉キャパシターの室温経時劣化と回復」，強誘電体応用会議2005，京都．2005年5月．

67) 「（指定講演）β-FeSi₂の微細組織と特性向上」，日本顕微鏡学会第61回学術講演会，つくば国際会議場，2005年6月．

68）「強誘電体メモリー用ビスマス層ペロブスカイトの結晶粒制御」，日本顕微鏡学会第61回学術講演会，つくば国際会議場，2005年6月．

69）「ダブルゲート型多値フラッシュメモリー」　第66回応用物理学会講演会，徳島大学，2005年9月．

70）「シリコン過剰層に形成したβ-FeSi₂のフォトルミネッセンス特性」　第66回応用物理学会講演会，徳島大学，2005年9月．

71）「Cu熱拡散によるβ-FeSi₂発光スペクトルの変化」　第66回応用物理学会講演会，徳島大学，2005年9月．

72）「Si(100)上のβ-FeSi₂の結晶成長及びフォトルミネッセンス特性に及ぼすCuの影響」　第66回応用物理学会講演会，徳島大学，2005年9月．

73）「フォトルミネッセンス特性とβ-FeSi₂／Si界面構造」第66回応用物理学会講演会，徳島大学，2005年9月．

74)  「シリサイド半導体の展望」第8回シリサイド系半導体研究会，徳島市民会館，2005年9月12日．

75) 　Investigation of β-FeSi₂/Si Heterostructures by Photoluminescence with Different Optical Configurations，

2005 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), 15-17, Sept., 2005, Kobe.

76）「β-FeSi₂の発光増強」信学技報SDM2005-198　(2005-12)，奈良先端大，2005年12月21日．

77）「ダブルゲート型多値フラッシュメモリの動作解析」信学技報SDM2005-198　(2005-12)，奈良先端大，2005年12月21日．

(2006)

78)   「鉄シリサイド・高屈折率フォトニック結晶の作製：反応性イオンエッチングによるサブミクロン微細加工」

　　   第9回シリサイド系半導体研究会，明治大駿河台校舎，2006年3月26日．

79)　「シリコン光エミッタの展望」第53回応用物理学関連連合講演会シンポジウム講演「シリコン光エミッタ」，武蔵工業大学，2006年3月24日．

80)　「Alドープβ-FeSi₂の2ステップアニールとフォトルミネッセンス特性」第53回応用物理学関連連合講演会，武蔵工業大学，2006年3月25日．

81）「β-FeSi₂フォトニック結晶の作製（Ｉ）：反応性イオンエッチングの検討」第53回応用物理学関連連合講演会，武蔵工業大学，2006年3月25日．

82）「β-FeSi₂/Si(100)界面構造に及ぼすＣｕの影響」第53回応用物理学関連連合講演会，武蔵工業大学，2006年3月25日．

83）「強誘電体キャパシタにおける伝導および分極挙動への粒界の影響」第53回応用物理学関連連合講演会，武蔵工業大学，2006年3月24日．

84）「Ｆｉｎ形状の変化によるFinFETの短チャネル効果の改善」第53回応用物理学関連連合講演会，武蔵工業大学，2006年3月23日．

85)    Invited talk: Semiconducting beta-FeSi2 towards optoelectronics and photonics, Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology towards

         Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006) , July 29-31, 2006, Kyoto. Proc. of APAC-SILICIDE, 5-7 (2006).

86)    Student Presentation Award, Photoluminescence enhancement by isolating beta-FeSi₂ layer from defective layer, Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science

and Technology towards Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006) , July 29-31, 2006, Kyoto. Proc. of APAC-SILICIDE, 12-13 (2006).

87)    Carrier control of bata-FeSi₂ by 1.2MeV-Au++ ion irradiation Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology towards

         Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006) , July 29-31, 2006, Kyoto. Proc. of APAC-SILICIDE, 23-24 (2006).

88)    Computation of photonic band structure and light propagation in beta-FeSi2 photonic crystals Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology towards

         Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006) , July 29-31, 2006, Kyoto. Proc. of APAC-SILICIDE, 54-55 (2006).

89)    Submicron dry-etching behavior of beta-FeSi2 thin films towards fabrication of photonic crystals Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology towards

         Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006) , July 29-31, 2006, Kyoto. Proc. of APAC-SILICIDE, 56-57 (2006).

90)    Nondestructive investigation of beta-FeSi2/Si interface by photoluminescence measurements Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology towards

         Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006) , July 29-31, 2006, Kyoto. Proc. of APAC-SILICIDE, 10-11 (2006).

91)    Control of beta-FeSi₂/Si interface structure by Cu layer Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides Science and Technology towards

         Sustainable Optoelectronics (APAC-SILICIDE 2006) , July 29-31, 2006, Kyoto. Proc. of APAC-SILICIDE, 20-21 (2006).

92）「講演奨励賞受賞記念講演　Siエッチングガスを用いたＦｅ系シリサイドのサブミクロン加工：フォトニック結晶の作製を目指して」

　　第67回応用物理学会講演会，立命館大学，2006年8月．

93）「β-FeSi₂：2次元フォトニック結晶のサイズ誤差の影響」第67回応用物理学会講演会，立命館大学，2006年8月．

94）「高輝度発光β-FeSi₂のイオンビーム合成：表面偏析のメカニズム」第67回応用物理学会講演会，立命館大学，2006年8月．

95）「β-FeSi₂のイオンビーム合成：Si空孔の変化」第67回応用物理学会講演会，立命館大学，2006年8月．

96）「シンポジウム講演　あたらしい応用を求めて：高屈折率シリサイド・フォトニック結晶への展開」第67回応用物理学会講演会，立命館大学，2006年8月．

97)     Enhancement of Photoluminescence from Ion-Beam Synthesized b-FeSi₂/Si, The 16th International Microscopy Congress Sept 3-8, 2006 , Sapporo.

98)     Reactive ion etching of b-FeSi₂/Si and fabrication of two dimensional photonic crystals, The 16th International Microscopy Congress Sept 3-8, 2006, Sapporo.

99)     Control of b-FeSi₂ growth by Cu mediated layer, The 16th International Microscopy Congress Sept 3-8, 2006 Sapporo.

100)   「Fe系シリサイドによるフォトニック結晶の作製」，電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)，大阪，平成18年11月24日．

101）「b-FeSi₂のイオンビーム合成：アニールによるSi空孔の変化」,電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)，大阪，平成18年11月24日．

(2007)

102）「RBSによるFe₃Si/Geエピタキシャル成長の評価」第54回応用物理学関連連合講演会，青山学院大学，2007年3月29日．

103）「Fe₃Siエピタキシャル界面での原子拡散の成長温度依存性」第54回応用物理学関連連合講演会，青山学院大学，2007年3月29日．

104）「Fe₃Si/SiGeヘテロエピタキシャル成長に与える基板効果」第54回応用物理学関連連合講演会，青山学院大学，2007年3月29日．

105）「MBE法によるGe/Fe₃Si/Ge多層ヘテロエピタキシャル成長の形成」第54回応用物理学関連連合講演会，青山学院大学，2007年3月29日．

106）「Fe₃Siリフトオフ法によるフォトニック結晶の作製」第54回応用物理学関連連合講演会，青山学院大学，2007年3月29日．

107）「Co_x/C₆₀化合物(x£2.8) の局所的な原子・電子構造の密度汎関数法による計算」第54回応用物理学関連連合講演会，青山学院大学，2007年3月29日．

108）「ナノグラニュラーCo/C60-Co薄膜のトンネル磁気抵抗効果」日本金属学会2007年度春期大会公募シンポジウム講演

109） Enhancement of photoluminescence from ion-beam synthesized beta-FeSi₂/Si, European Materials Research Society, May 28-June 1, 2007, Strasbourg, France.

110)  Submicron sized fabrication of iron silicides for their applications to photonic crystals, European Materials Research Society, May 28-June 1, 2007, Strasbourg, France.

111)    Invited presentation: RBS study of epitaxial growth of ferromagnetic Fe₃Si on Ge, European Materials Research Society, May 28-June 1, 2007, Strasbourg, France.

112)    Invited presentation: Atomically controlled hetero-epitaxy of Fe₃Si/SiGe for spintronics application, The 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), France.

113)    Temperature dependent epitaxial growth of ferromagnetic silicides Fe₃Si on Ge substrate, The 5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-5), France.

114) 「Fe₃Si/Ge エピタキシャル界面での原子拡散」上西隆文，安藤裕一郎，平岩佑介，鳴海一雅，熊野守，上田公二，佐道泰造，宮尾正信，前田佳均

応用物理学会・第10回シリサイド系半導体・夏の学校，掛川市，2007年7月28-29日

                 115）「鉄シリサイド・フォトニック結晶」，前田佳均

応用物理学会・第10回シリサイド系半導体・夏の学校，掛川市，2007年7月28-29日

                 116)「シリサイド共役反転格子フォトニック結晶での導波解析」國松俊佑，寺井慶和，秋山賢輔，前田佳均

　　　　　　　第68回応用物理学会学術講演会，札幌市，2007年9月4-8日．

117) 「講演奨励賞受賞記念講演：強磁性体シリサイド(Fe₃Si)/半導体(Ge)ヘテロ界面の原子層制御」

上田公二，熊野守，安藤裕一郎，佐道泰造，鳴海一雅，前田佳均，宮尾正信

第68回応用物理学会学術講演会，札幌市，2007年9月4-8日．

118) 「Fe₃Si/Geヘテロエピタキシャル成長層の軸配向性の成長温度依存性の考察」安藤裕一郎，上西隆文，鳴海一雅，熊野守，上田公二，佐道泰造，前田佳均，

宮尾正信，第68回応用物理学会学術講演会，札幌市，2007年9月4-8日．

119) 「Fe₃Si/Geヘテロエピタキシャル界面における相互拡散と軸配向性」上西隆文，安藤裕一郎，平岩佑介，鳴海一雅，熊野守，上田公二，佐道泰造，宮尾正信，

前田佳均，第68回応用物理学会学術講演会，札幌市，2007年9月4-8日．

120) 「ＭＢＥ法による[Fe₃Si/Ge]₂多層ヘテロエピタキシャル成長の検討」

　　熊野　守，安藤裕一郎，上田公二，権丈　淳，佐道泰造，前田佳均，宮尾正信，第68回応用物理学会学術講演会，札幌市，2007年9月4-8日．

121)「フラーレン-コバルト薄膜における分子構造と電子状態解析」松本 吉弘，境 誠司，菅井 勇，楢本 洋，平尾 法恵，馬場 祐治，岡安 悟，前田 佳均,

第68回応用物理学会学術講演会，札幌市，2007年9月4-8日

122)「C₆₀-Coナノグラニュラー薄膜における磁気伝導特性の組成依存性」菅井 勇，境 誠司，三谷 誠司，松本 吉弘，高梨 弘毅，楢本 洋，P. V. Avramov，

岡安 悟，前田 佳均,，第68回応用物理学会学術講演会，札幌市，2007年9月4-8日

123)「フラーレン-コバルト薄膜の磁気抵抗効果と構造」境 誠司，菅井 勇，三谷 誠司，松本 吉弘，高梨 弘毅，楢本 洋，岡安 悟，前田 佳均

日本応用磁気学会第31回学術講演会，東京，2007年9月11-14日.

124)「C₆₀-Co薄膜の巨大トンネル磁気抵抗効果」境 誠司，菅井 勇，三谷 誠司，松本 吉弘，高梨 弘毅，楢本 洋，P. V. Avramov，岡安 悟，前田 佳均

日本金属学会2007年秋期(第141回)大会，岐阜市，2007年9月19-21日.

  125) Invited talk: Y. Maeda, Luminescence of b-FeSi₂ and application to photonics, The Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V),

Nov. 12-14, 27007, Tokyo.  pp.37-38.

 126) Y. Hiraiwa, T. Jonishi, Y. Ando, K. Narumi, M. Kumano, K. Ueda, T. Sadoh, M. Miyao, Y. Maeda, Diffusion behavior in Fe₃Si/Ge hybrid structures and related degradation of axial orientation, The Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V), Nov. 12-14, 27007, Tokyo. pp.101-102.

 127) K. Ueda, Y. Ando, M. Kumano, T. Sadoh, Y. Maeda, M. Miyao, Low temperature formation of multi-layered structures of ferromagnetic silicides Fe₃Si and Ge, The Fifth International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-V), Nov. 12-14, 27007, Tokyo .pp. 99-100.

 128)前田佳均：「環境材料としての鉄シリサイド系とその応用」，応用物理学会九州支部シンポジウム：低環境負荷電子材料＆環境デバイス，2007年11月10日，

九州工業大学（飯塚キャンパス）．

129）國松俊祐，寺井慶和，前田佳均，「共役反転格子フォトニック結晶での導波解析」，電子情報通信学会技術研究会. SDM, シリコン材料・デバイス，

2007年12月24，奈良先端大．

130）平岩佑介，安藤裕一郎，熊野　守，上田公二，佐道泰造，宮尾正信，鳴海一雅，前田佳均．「Fe₃Si/Ge(111)ヘテロエピタキシャル成長の軸配向性の評価」，

電子情報通信学会技術研究会. SDM, シリコン材料・デバイス，2007年12月24，奈良先端大．

(2008)

131）平岩佑介，安藤裕一郎，佐道泰造，宮尾正信，前田佳均，「Xeマーカーを用いたFe₃Ge/Ge界面での相互拡散の検討」，第55回応用物理学関係連合講演会，2008年3月29，日本大学．

131）前田佳均，平岩佑介，「β-FeSi₂の遠赤外分光と発光特性」，第55回応用物理学関係連合講演会，2008年3月29，日本大学．

       133)  “Site preference of atoms in Heusler alloys Fe₃Si and Fe₂MnSi grown on Ge(111) towards realization of Ge channel spin transistors”, Y. Hiraiwa, K. Narumi, A. Kawasuso, Y. Terai, Y. Ando, K. Ueda, T. Sadoh, K. Hamaya, M. Miyao, and Y. Maeda, Materials Research Society Fall Meeting 2008, 1-5 Dec. Boston, USA.

              編集中

       (2009)

　　　111)”Photoluminescence and phonon properties of b-FeSi₂ nanocrystals precipitated in Si”, Y. Maeda, International Conference on Materials for Advanced Technologies 2009 (ICMAT 2009), IUMRS-ICA 2009, 28 June-3 July, Singapore.

               112)”Fabrication of iron silicide photonic crystals and properties of light propagation”, Y. Maeda and Y. Terai, , International Conference on Materials for Advanced Technologies 2009 (ICMAT 2009), IUMRS-ICA 2009, 28 June-3 July, Singapore.

(1) “Giant tunnel magnetoresistance and interface spin-polarization in granular C₆₀-Co films”, S. Sakai, Y. Matsumoto, S. Entani, I. Sugai, K. Takanashi, Y. Takagi, T. Nakagawa, T. Yokoyama, T. Shimada, H. Naramoto, Y. Maeda, International IMR Workshop on Group IV Spintronics, Sendai, Miyagi, Japan, October 5-6, 2009. (招待講演)

(2)  “Spectroscopic Analysis of Local Magnetic Properties of C₆₀-Co compound  in Granular C₆₀-Co Films” Y. Matsumoto, S. Sakai, S. Entani, Y. Takagi, T. Nakagawa, S. Nagamatsu, T. Shimada,

H. Naramoto, T. Yokoyama, H. Fujikawa, K. Takanashi, Y. Maeda, International IMR Workshop on Group IV Spintronics Sendai, Miyagi, Japan, October 5-6, 2009.

(3)  “Interface electronic structure of graphene/magnetic metal studied by micro-Raman spectroscopy”, S. Entani, S. Sakai, Y. Matsumoto, S. Nagamatsu, H. Naramoto, K. Takanashi, Y. Maeda

International IMR Workshop on Group IV Spintronics, Sendai, Miyagi, Japan, October 5-6, 2009.

(4)  “Highly spin-polarized tunneling current in granular C₆₀-Co films”, S. Sakai, Y. Matsumoto, S. Entani, I. Sugai, K. Takanashi, Y. Takagi, T. Nakagawa,

T. Yokoyama, T. Shimada, H. Naramoto, Y. Maeda, International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN) Maui, Hawaii, USA, November 29-December 4, 2009.

(5)  “Graphene / magnetic metal interfaces studied by micro-Raman spectroscopy”, S. Entani, S. Sakai, Y. Matsumoto, S. Nagamatsu, H. Naramoto, K. Takanashi, Y. Maeda

International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN), Maui, Hawaii, USA, November 29-December 4, 2009.

              (6) 「イオンチャネリングによるL21ホイスラー合金/Ge(111)へテロエピタキシャル界面の評価」, 前田佳均、池田達哉，鳴海一雅，安藤裕一郎，浜屋宏平、佐道泰造，宮尾正信, 第4回高崎量子応用研究シンポジウム、高崎シティギャラリー、2009年10月8日-9日

             (7) 「Au/Cu膜中の原子拡散への超重力印加効果のRBS解析」, ハオティン、小野正雄、岡安悟、境誠司、鳴海一雅、平岩祐介、笹瀬正人、楢本洋、前田佳均

第4回高崎量子応用研究シンポジウム、高崎シティギャラリー、2009年10月8日-9日

             (8)  「20-400 keV C₆₀イオン照射によるSi標的のスパッタリング収量」，鳴海一雅、楢本洋、高橋康之、山田圭介、千葉敦也、斎藤勇一、前田佳均

第4回高崎量子応用研究シンポジウム、高崎シティギャラリー、2009年10月8日-9日

 　　　(2010以降) 編集中

■学会発表（1987―1999年まで，1992-2002　一部欠落）

1)「DSCによるAg-Zn合金のβ‘→ζ相変態の解析」，日本金属学会学術講演会，東大，1986年3月．

2)「動的反射率測定法によるＡｇ-Ｚｎ合金のβ‘→ζ相変態の解析」，秋季応用物理学会学術講演会，北海道大学，1986年10月．

3)「Ａｇ-Ｚｎ合金薄膜における相変態への膜厚の効果」，春季秋季応用物理学会学術講演会，早稲田大学，1987年3月．

4)「ＤＲＳによるＧｅＳｂ相変態の解析」，春季秋季応用物理学会学術講演会，早稲田大学，1987年3月．

5)「ＧｅＳｂ薄膜における準安定相の解析」，日本金属学会学術講演会，熊本工業大，1987年10月．

6)「ＩｎＳｂＴｅ三元系記録膜の光記録特性」，電子情報通信学会全国大会，熊本大，1987年10月．

7)「In₃SbTe₂三元化合物光記録膜における高速消去のメカニズム」，春季秋季応用物理学会学術講演会，法政大学，1988年3月．

8)「ＩｎＳｂＴｅ系相変化光ディスクの単一ビームオーバライト特性」，秋季秋季応用物理学会学術講演会，富山大学，1988年10月．

9)「ＩｎＳｂＴｅ系相変化光ディスクにおける高消去比のメカニズム」，秋季秋季応用物理学会学術講演会，富山大学，1988年10月．

10)「Thermophotometric observations of non-equilibrium phase transformations in silver-zinc and antimony-germanium alloys」，

The 5th Japan Inst. of Metals international symposium on non-equilibrium phases of metals and alloys (JIMS5), Kyoto, 1988 March.

11)「Reversible phase change optical data storage in chalcogenide ternary compound films」，MRS symposium on photo-responsive materials, Tokyo, 1988 June.

12)「ＩｎＳｂＴｅ系相変化光ディスクの単一ビームオーバライト特性」，電子情報通信学会研究会ＣＭＰ，東京，1989年1月．

13)「Disk structure for high performance overwritable phase-change optical disks」，International symposium on optical memory (ISOM’89), Kobe, 1989 Oct.

14)「EXAFSによるa-GeTe薄膜の結晶化の研究」，日本物理学会秋季大会，岐阜大，1990年10月．

15)「ＩｎＳｂＴｅ相変化光ディスクにおける溶融消去メカニズム」，春季秋季応用物理学会学術講演会，東海大学，1991年3月．

16)「非晶質ＧｅＴｅの局所構造のゆらぎと結晶化」，日本金属学会春季学術講演会，東大，1991年4月．

17）「Room temperature photoluminescence of Ge microcrystals embedded in SiO₂ glassy matrices (Invited)」,International Workshop on Atoms and Clusters (WAC-92), Atami, Jan. 1992.

18)「ゲルマニウム微結晶の作製と発光特性」（招待講演），アモルファス物質の物性と応用セミナー，岐阜，1991年11月．

19)「Preparation of nanometer-size crystalline Ge by chemical sol-gel method and the visible photoluminescence」，

International Conference on Optical Properties of Nonostructures, Sendai, September, 1994.

20)「Single-beam overwrite with a new erase mode of In₃SbTe₂ phase-change optical disks」，

International symposium on optical memory (ISOM’91), Sapporo, 1991 Nov.

21)「Electron confinement in anthracene molecules absorbed into super-cages of Na Y-Zeolite」, The MRS Japan meeting, Makuhari, May, 1996.

22)「Ｘ線光電子分光法による有機ポリシランの電子構造の研究」，第9回応用物理学会，九州産業大学，1996年9月．

23)「Ｘ線光電子分光法による有機ポリシランの内殻電子と価電子スペクトルの測定（Ｉ）」，高分子学会九州フォーラム，九州工業大学，1996年9月．

24)「Formation mechanism of b-FeSi₂ in Fe ion implanted Si substrates」,

The 7th Symposium on beam engineering of advanced materials syntheses (BEAMS’96)」,Tokyo, 1996 Nov.

25)「Structural relaxation of hydrogenated amorphous Si using resonant vibration excitation with free electron lasers」，

The 5th Asia symposium on free electron lasers and the application to materials sciences, Hirakata, 1997 Jan.

26)「対称側鎖をもつ有機ポリシランのＸ線光電子スペクトル」，第5回有機ポリシランフォーラム，大阪府立大学，1997年1月．

27)「Feイオン注入したSi(100)基板におけるβ-FeSi₂の形成メカニズム（I）」，第44回応用物理学会関係学術講演会，日大，1997年3月．

28)「Feイオン注入したSi(100)基板におけるβ-FeSi₂の形成メカニズム（II）」，第44回応用物理学会関係学術講演会，日大，1997年3月．

29)「Feイオン注入したSi(100)基板におけるβ-FeSi₂の形成メカニズム（III）」，第44回応用物理学会関係学術講演会，日大，1997年3月．

30)「Feイオン注入したSi(100)基板におけるβ-FeSi₂の形成メカニズム（IV）」，第44回応用物理学会関係学術講演会，日大，1997年3月．

31)「自由電子レーザアブレーションによるシリコンミクロファイバーの形成」，第44回応用物理学会関係学術講演会，日大，1997年3月．

32)「鉄塩化物イオン源による高ビーム電流の発生」，第44回応用物理学会関係学術講演会，日大，1997年3月．

33)「Radiation enhanced diffusion of ion implanted Fe in Si(100) observed in ion beam synthesis of b-FeSi₂」，

Royal Microscopic Society, The 10th international symposium on microcopy of semiconducting materials, University of Oxford, 1997 April.

34)「The physical and optical properties of GeSbTe films as a function of sputtering conditions」，

The 4th international symposium on sputtering and plasma processes (ISSP’97), Kanazawa, 1997 June.

35)「対称側鎖をもつ有機ポリシランの内殻電子と価電子スペクトルの測定」，電子情報通信学会有機エレクトロニクス部会研究会，東京，1997年5月．

36)「Free electron laser synthesis of micro-fiber silicon and its visible light emission」，

The 4th IUMRS international conference in Asia, Makuhari, 1997 September.

37)「Redistribution of ion implanted Fe during ion beam synthesis of b-FeSi₂ in Si(100)」，

The 4th IUMRS international conference in Asia, Makuhari, 1997 September.

38)「Fe+多重イオン注入Si(100)基板におけるFeの拡散とβ-FeSi₂の形成」，第58回応用物理学会，秋田,1997年10月

39)「⁵⁶Fe+イオンビーム注入したSi(100)基板における表面偏析とβ-FeSi₂の形成」，第58回応用物理学会，秋田,1997年10月

40) 「イオン注入法で作製したβ-FeSi₂の表面モルフォロジーの観察」，第58回応用物理学会，秋田,1997年10月

41)「イオン注入法で作製したβ-FeSi₂の表面組織と相転移」，日本物理学会，神戸大学，1997年10月

42)「Ion-Beam Synthesized Semiconducting b-FeSi₂ Controlled by Annealing Procedures and Phase Transitions」，

Materials Research Society Symposium, Boston, USA, Dec. 1997.

43)「Quantum Size Effect of Bulk Plasmon Energy Observed in Ge Quantum Dots」, Materials Research Society Symposium, Boston, USA, Dec. 1997.

44)「赤外自由電子レーザーの半導体への照射効果」，第8回粒子線の先端応用技術に関するシンポジウム，京都，1997年12月．

45)「イオン注入法で作製したβ-FeSi₂の表面モルフォロジー」，第8回粒子線の先端応用技術に関するシンポジウム，京都，1997年12月．

46) 「Silicon Nanostructure Fabrication Using IR-FELs and Its Optical properties」，

International Symposium on Free Electron Laser Facilities and Applications (FELFA'98), Kyoto Jan. 1998.

47)「 Raman and FT-IR Studies of Photodynamic Processes of Cholesteryl Oleate Using IR-FELs」，

International Symposium on Free Electron Laser Facilities and Applications (FELFA'98), Kyoto Jan. 1998.

48)「イオン注入法で作製したβ-FeSi₂/Siの光電特性」，第45回応用物理学関係連合講演会シンポジウム，東京,1998年３月

49)「イオン注入法で作製したβ-FeSi₂相の構造評価」，第45回応用物理学関係連合講演会シンポジウム，東京,1998年３月

50)「イオン注入法で作製したβ-FeSi₂のラマン分光法による評価」，第45回応用物理学関係連合講演会，東京,1998年３月

51)「自由電子レーザーによるColesteryl Oleateの化学結合の変化」，第45回応用物理学関係連合講演会，東京,1998年３月

52)「赤外自由電子レーザ励起によるコレステロール分子の結合制御」日本電気化学会シンポジウム，東京，1999年3月

53)「Photovoltaic Properties of Ion-Beam Synthesized b-FeSi₂/Si(100)」,

XII International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'98), Kyoto, Jun. 1998.

54)「Ion-Beam Synthesis of b-FeSi₂/Si(100) Heterojunction and Its Crystalline Morphology」，

XII International Conference on Ion Implantation Technology (IIT'98), Kyoto, Jun. 1998.

55)「Ion-Beam Synthesis of b-FeSi₂ As an IR Photosensitive Material」，

The SPIE International Workshop on Photonics Materials (Asia Photonic '98), Taipei, July 1998.

56)「IR-Photovoltaic Characteristics of Ion Beam Synthesized b-FeSi₂/n-Si Diodes」，

The 11th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM98), Amsterdam, the Netherlands, Aug 1998.

57)「イオン注入法で作製したβ-FeSi₂の高キャリア移動度」，第59回応用物理学会，広島,1998年９月

58)「Coイオン注入したβ-FeSi₂のＲａｍａｎ分光法による評価」，第59回応用物理学会，広島,1998年９月

59)「Ｒａｍａｎ分光法による過充電状態での炭素繊維電極の構造解析」，第59回応用物理学会，広島,1998年９月

60)「Introductory Talk－なぜ環境半導体なのか？」，第46回応用物理学関係連合講演会シンポジウム，千葉,1999年3月

61)「イオン注入法で作製したβ-FeSi₂/n-Siヘテロ接合の赤外光電特性」，第46回応用物理学関係連合講演会シンポジウム，千葉,1999年3月

62)「イオン注入法で作製したβ-FeSi₂多結晶の粒界構造解析」，第46回応用物理学関係連合講演会シンポジウム，千葉,1999年3月

63)「半導体β-FeSi₂/Siヘテロ構造の光起電力効果とミクロ構造解析」，第7回メゾ材料シンポジウム，京都大学，1999年7月．

64)「β-FeSi₂/n-Si(100)ヘテロ界面のＸＰＳによる解析」，第3回環境半導体・夏の研究会，愛知，1999年8月．

65)「固相反応法によって高純度鉄基板表面に作製したβ-FeSi₂の物性」，第47回応用物理学関係連合講演会，神戸,1999年９月

66)「環境半導体入門」第1回環境半導体シンポジウム，埼玉大学，1999年12月

67)「β-FeSi₂の正孔移動度と結晶粒径依存性」第1回環境半導体シンポジウム，埼玉大学，1999年12月

(2000)

1)　Raman Spectroscopy of Ion Implanted Semiconductors (Invited Lecture),

Institute of Physics（IOP）One day Conference on Analysis of Ion Beam Modified Semiconductors, Institute of Physics (IOP), London, UK, Jan. 　2000.

2)　｢多結晶β-FeSi₂/Siヘテロ接合の光エレクトロニクスへの応用｣，第47回応用物理学関係連合講演会

「エコ・エレクトロニクス実現に向けた環境半導体の現状と将来」シンポジウム講演，青山学院大学，2000年3月.

3)　｢イオン注入合成等により作製したβ-FeSi₂の軟X線放出分光（SXES）観察｣，第47回応用物理学関係連合講演会，青山学院大学，2000年3月.

4)　｢Ion Beam synthesis of b-FeSi₂/n-Si Heterojunctions and Their Photoresponsivity｣,

The European Material Conference, Spring Meeting of European Materials Society (E-MRS IUMRS ICEM 2000),

Symposium R, R-VIII.7, Strasbourg, France, May 2000.

5)　Local Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO₂ Studied by X-ray Absorption Fine Structure,

The 11th International Conference on X-ray Absorption Fine Structure, Akoh, Japan, July 2000.

6)　Effects of Uniaxial Lattice Deformation on Optical and Photoelectrical Responses of IBS b-FeSi₂,

Japan-UK Joint Workshop on Kankyo-Semiconductors (WORKS 2000), Tsukuba, Aug. 2000.

7)　Epitaxial Growth of MnSi_1.7 Layers under The Presence of an Sb Flux｣,

The 1st Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology, Kyoto, Aug. 2000.

8)　Structural and Compositional Analyses of b-FeSi₂ and MnSi_1.7 Layers Grown by Surfactant Mediated Reactive Deposition Epitaxy,

Japan-UK Joint Workshop on Kankyo-Semiconductors (WORKS 2000), Tsukuba, Aug. 2000.

9)　Magnetic Properties of b-FeSi₂ Semiconductors｣, Japan-UK Joint Workshop on Kankyo-Semiconductors (WORKS 2000), Tsukuba, Aug. 2000.

10)　Note on Raman Spectroscopy of b-FeSi₂｣, Japan-UK Joint Workshop on Kankyo-Semiconductors (WORKS 2000), Tsukuba, Aug. 2000.

11)　Structural Analysis of MnSi_1.7 Layers Grown under the Presence of an Sb Flux｣,

Japan-UK Joint Workshop on Kankyo-Semiconductors (WORKS 2000), Tsukuba, Aug. 2000.

12)　Growth Condition Dependence of Structural Property of RDE b-FeSi₂ Layers Grown under the Presence of an Sb Flux,

Japan-UK Joint Workshop on Kankyo-Semiconductors (WORKS 2000), Tsukuba, Aug. 2000.

13)　Structure of Ge Nanocrystals Grown on Si Substrates: Raman Scattering, X-ray Absorption and TEM Studies,

The 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka, Sep, 2000.

14)　Local Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO₂: Raman Scattering, X-ray Absorption and TEM Studies，

The 2000 JRCAT International Symposium on Atom Technology, Tokyo, Nov. 2000.

15)　｢シリサイド半導体の電子構造から見た光エレクトロニクス，スピントロニクへの展望｣，環境半導体研究会12月研究会，

埼玉大学・東京ステーションカレッジ，2000年12月．

                  (2001)

16)　｢単結晶β-FeSi₂の偏光ラマンスペクトル｣，第48回応用物理学関係連合講演会，明治大学，2001年3月．

17)　｢Siとの接触加熱法による鋼板上へのβ-FeSi₂半導体作製の試み｣，第48回応用物理学関係連合講演会，明治大学，2001年3月．

18)　Local Structure of Ge Nanocrystals Embedded in SiO₂: Raman Scattering, X-Ray Absorption and TEM Studies｣，

The 6 th International Symposium on Advanced Physical Fields: Growth of Well-Defined Nanostructures, Tsukuba, March, 2001.

19)　｢シリサイド半導体のオプトエレクトロニクスへの展開｣，日本真空協会関西支部平成13年度第1回研究例会，大阪府立大学，2001年５月.

20)　｢シリサイド半導体のブレークスルー：光エレクトロニクス，スピントロニクス｣，シリサイド半導体夏の学校，応用物理学会シリサイド半導体研究会，

志賀島（福岡），2001年7月．

21)　Growth Evolution of b-FeSi₂ Layers Grown by Sb-Mediated Reactive Deposition Epitaxy,

The 13th International Conference on Crystal Growth & The 11th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy, Kyoto, Aug. 2001.

22)　｢イオン注入によるβ-FeSi₂ナノ結晶の作製と発光特性｣，第62回応用物理学会学術講演会，愛知工業大学，2001年9月．

23)　｢Mg₂Si/Si(111)上に成長したCa₂Siの光学特性｣，第62回応用物理学会学術講演会，愛知工業大学，2001年9月．

24)　｢イオンビーム合成によるβ-FeSi₂ナノ結晶の作製と評価｣，第１回応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会，大阪府立大学　2001年11月．

(2002)

25)　｢環境半導体の現状と将来｣，第49回応用物理学会学術講演会シンポジウム，東海大学，2002年3月．

26)　｢Ca₂Siのイオンビーム合成と反射スペクトル解析｣，第49回応用物理学会学術講演会，東海大学，2002年3月．

27)　｢Erドープβ-FeSi₂のイオンビーム合成とフォトルミネッセンス特性｣，第49回応用物理学会学術講演会，東海大学，2002年3月．

28)　｢Erドープβ-FeSi₂のフォトルミネッセンス特性｣，第2回応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会，

埼玉大学東京ステーションカレッジ，2002年3月．

29）｢イオンビーム合成β-FeSi₂のフォトルミネッセンスの基板依存性｣，第63回応用物理学会学術講演会，新潟大学，2002年9月．

30）｢Erドープβ-FeSi₂のフォトルミネッセンス（II）｣，第63回応用物理学会学術講演会，新潟大学，2002年9月．

31)　Photoluminescence property of ion-beam synthesized Er-doped b-FeSi₂, European Materials Research Society Symposium, Strasbourg, France (2002).

■仕事が引用された事例（単行本のみ）

1) S.V.Gaponenko:"Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals", Cambridge Studies in Modern Optics, Cambridge Univ. Press.1998.

2) H. S. Nalwa ed.:" Handbook of Nanostructured Materials and Nanotechnology: Vol 2. Spectroscopy and Theory", Academic Press, 2000.

3) A. D. Yoffe: ” Low-dimensional systems: quantum size effects and electronic properties of semiconductor microcrystallites (zero-dimensional systems)

 and some quasi-two-dimensional systems”, Advances in Physics，Volume 51, Number 2 (2002) 799 – 890.

■新聞発表

朝日新聞　平成3年10月11日　朝刊第一面「ゲルマニウム微結晶で発光，量子の現象　色で表現」

■特許（代表的なもの）

1) 【特許番号】日本国特許2512087号　【発明の名称】「光記録媒体および情報記録再生装置」

2) 【特許番号】日本国特許2507108号　【発明の名称】「光記録情報媒体およびその用途」

3) 【特許番号】日本国特許5572502号　【発明の名称】「記録方法及び記録再生方式及び記録再生装置」

4) 【特許番号】日本国特許5668590号　【発明の名称】「入射可変対応偏向ビームスプリッター」

5) 【特許番号】日本国特許2781625号　【発明の名称】「情報処理装置及びこれに搭載する光ヘッド」

6) 【特許番号】日本国特許2804130号　【発明の名称】「情報処理装置及びこれに搭載する光ディスク」

7) 【特許番号】日本国特許5828431号　【発明の名称】「反射型表示装置」

8) 【特許番号】日本国特許3034497号　【発明の名称】「情報記録装置および情報再生装置」

9) 【特許番号】日本国特許2910767号　【発明の名称】「情報記録方法」

10）【特許番号】US5,583,840　【発明の名称】Optical memory and information processing apparatus

11）【特許番号】US5,484,686　【発明の名称】Optical recording media and information recording and reproducing units

12）【特許番号】US5,420,845　【発明の名称】Methods of varying optical properties, optical devices, information

recording media and information recording methods and apparatuses

13）【特許番号】EP0652304 　【発明の名称】Film forming method and apparatus for carrying out the same

14）【特許番号】US5,371,730　【発明の名称】Optical memory and information processing apparatus