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β‐FeSi2のイオンビーム合成（IBS） |
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（IBS：Ion-Beam
Synthesis） |
イオンビーム合成による高品質多結晶β-FeSi2の作製と微視構造と伝導特性
■ポイント イオンビーム合成（IBS）とは，質量分離した５６Fe+イオンを100‐200keVで加速してシリコン基板にイオン注入し，加熱処理によってシリサイド半導体を作製する方法です．同位体レベルの高純度な作製が可能であること，イオンの加速エネルギーによって作製する深さを変えられるなどの特長があります．しかし，注入による結晶の損傷や多量のイオンを発生させるためのイオン源の選択の問題などがあります．われわれは，こうした問題を克服した結果，大粒径のβ‐FeSi2多結晶の成長に成功し，世界最高速の正孔移動度を観察しました．これは，赤外光起電力型センサーや発光素子への応用が期待されています． （イオン源の開発には，三宅先生：埼玉大学大学院，関根氏：イオン工学センター，HREM観察には杉山氏：新日鐵の協力を得ました．） |
