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β‐FeSi2ナノ構造のIBS |
イオンビーム合成（IBS）によるβ‐FeSi2ナノ構造作製
■ポイントイオンビーム合成では，シリコン基板への鉄イオンの注入エネルギー，ドーズ，アニ‐ル温度,時間によって，β‐FeSi2の多結晶薄膜，ナノメートルからμｍまでの 析出物を作製することが可能です．この例では，多量の鉄イオンを注入すると，β‐FeSi2薄膜の上にナノメートルサイズの突起（nanotip)が成長しています．こうしたnanotipでは励起子の強い閉じ込めが起こるために，ナノ量子デバイスへの展開が期待できます．注入量が少ないと，シリコン結晶中に分散した孤立ナノ結晶が析出します．これは強い発光が起こることが観察されました．こうした特徴的なナノ構造に刺激されて，量子デバイスへの展開を模索中です． （ご協力：日立計測サービス，坂倉氏， 使用したSEMは日立HRSEM S5000型です．） |
